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H3543HWF-AG 139μm Painel DR curvo de silício amorfo A-Si

Name: H3543HWF-AG 139μm Painel DR curvo de silício amorfo A-Si
Brand: HUATEC GROUP CORPORATION
SKU: H3543HWF-AG
Price: 26,775.00 USD
Availability: InStock

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Certificado

CHINA HUATEC GROUP CORPORATION Certificações

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H3543HWF-AG 139μm Painel DR curvo de silício amorfo A-Si

Imagem Grande : H3543HWF-AG 139μm Painel DR curvo de silício amorfo A-Si

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	China
Marca:	HUATEC
Certificação:	CE
Número do modelo:	H3543HWF-AG

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1 por cento
Detalhes da embalagem:	Caixa de embalagem de cartão
Tempo de entrega:	10-15 dias de trabalho após o recibo de seu pagamento
Termos de pagamento:	T/T, Paypal
Habilidade da fonte:	5sets/month

Contato

H3543HWF-AG 139μm Painel DR curvo de silício amorfo A-Si

descrição

Área ativa:	350 x 430 mm	Pitch de pixels:	139 μm
Resolução:	2560 x 3072	Escala da energia:	40-350 kV
Alcance dinâmico:	≥ 84 dB
Destacar:	Painel DR curvo , Painel DR curvo A-Si , Painel DR curvo de silício amorfo

H3543HWF-AG 139μm Painel DR curvo de silício amorfo A-Si

Sensor
Receptor tipo a-Si

Scintillador Gos

Área ativa 350 x 430 mm

Resolução 2560 x 3072

Pixel Pitch 139 μm

Eletrodomésticos e interface
Conversão A/D 16 bits

Interface de dados Gigabit Ethernet/802.11ac (apenas 5G)

Tempo adquirido com fio: 1s; sem fio: 3s

Software de controlo de exposição/sincronização
Memória 4 GB DDR4, cartão SD de 8 GB

Mecânico
Dimensões 583x437x21,8 mm
Peso 4,5 kg (sem bateria)

Materiais ligas de alumínio e magnésio

Painel frontal de fibra de carbono

Ambiente

Temperatura 10-35°C (operativo);-10~50°C (armazenamento)

Humidade (RH) 30-70% (não condensante)

Proteção contra penetração IP54 (personalizada para IP67)

Fornecimento de energia e bateria

Adaptador AC 100-240V,50-60Hz

Adaptador de saída DC 24V,2.7A

Dissipação de energia < 20 W

Tempo de espera 6,5 h

Tempo de recarga 4,5 h

Qualidade da imagem
Resolução Limitante 3,5 LP/mm

Intervalo de energia 40-350 KV

Faixa dinâmica≥ 84 dB

Sensibilidade ≥ 0,54 LSB/nGy

Fantasma < 1% 1o quadro

DQE 42% @(1 LP/mm)

28% @ ((2 LP/mm)

MTF 68% @(1 LP/mm)

38% @ ((2 LP/mm)

20% @ ((3 LP/mm)

H3543HWF-AG 139μm Painel DR curvo de silício amorfo A-Si 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Ms. Shifen Yuan

Telefone: 8610 82921131,8618610328618

Fax: 86-10-82916893

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Unidades de exibição: Bq/L, Bq/kg

Washing Volume 80*300mm 80 Sheets Per hour (P14A) Economical and Practical Industrial NDT Film Developer

Especificação do filme: Mínimo 10*10cm máximo 35*∞cm

Tempo tornando-se: 20-60sec

Volume de nivelamento: 110 peças/hora (14*17) 160 peças/hora (11*14)

Temperatura do colaborador: 20℃-40 ℃adjustable (intervalo 0.1℃)

HDL-F430XD NDT Film Developer Washing Machine

Especificação do filme: mínimo 60 * 100 mm, largura máxima de 450 mm e comprimento máximo da película de 60 metros

Tempo de execução: 4.5 a 14 minutos

Velocidade do chip: 300 ~ 100 mm / min

Tempo de desenvolvimento: 60-180 segundos (recomendado para 90 segundos)

HDL-P14A Industry Automatic Table-top Processor Film Processing Machine

Especificação do filme: Mínimo 10*10cm máximo 35*∞cm

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Tempo tornando-se: 20-60sec

Volume de nivelamento: 110 peças/hora (14*17) 160 peças/hora (11*14)

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Banda de amplificador: -3dB 1,5 MHz 3,0 MHz

Obstruindo a escala: Não superior a 20 mm

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H3543HWF-AG 139μm Painel DR curvo de silício amorfo A-Si

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Raio-X detector de falhas

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Não - máquina de teste destrutivo,

Equipamento de teste do NDT,

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